BaBiO3: від надпровідника до топологическому діелектрика

Відомо, що при дырочном допуванні діелектрика BaBiO3 (наприклад, при частковому заміщенні Ba/K або Bi/Pb) в ньому виникає надпровідність з досить високою критичною температурою Tc -> 30 К. Розрахунки з перших принципів показали [1], що при електронному допуванні (наприклад, при частковому заміщенні O/F) всередині забороненої зони повинні утворюватися топологічні поверхневі стани (TSS), які представляють інтерес для квантової інформатики та спінтроніки. Якщо ж BaBiO3 виготовити p-n перехід (див. рис.), то ефект близькості може індукувати в TSS надпровідну щілину.

Схематичне зображення планарного контакту
між топологічним діелектриком (вгорі) і надпровідником (внизу).

1. B. Yan et al., Nature Phys. 9, 709 (2013).

Залишити відповідь

Ваша e-mail адреса не оприлюднюватиметься. Обов’язкові поля позначені *